BLF6G10LS-135R,118

BLF6G10LS-135R,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-135R,118
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5476591.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10LS-135R,118
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 21 dB
Выходная мощность 26.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 32 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 125 W
Тип продукта MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.23 Ohms
Размер фабричной упаковки 100 Другие названия товара № /T3 BLF6G10LS-135R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX207EEWG MAX207EEWG Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 5572171.pdf
SN74ALS996DWR SN74ALS996DWR Texas Instruments Защелки Octal D-Type Edge- Triggered Read-Back 2752527.pdf
dsPIC33FJ06GS202AT-E/TL dsPIC33FJ06GS202AT-E/TL Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 40 MIPS 6 KB FL 1024Bytes RAM SMPS 6146495.pdf
AT24C04N-10SC AT24C04N-10SC --- Микросхемы памяти ---
C503B-AAS-CY0B0252 C503B-AAS-CY0B0252 --- Светодиодная индикация ---