BLF6G10LS-135R,118

BLF6G10LS-135R,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-135R,118
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5476591.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10LS-135R,118
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 21 dB
Выходная мощность 26.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 32 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 125 W
Тип продукта MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.23 Ohms
Размер фабричной упаковки 100 Другие названия товара № /T3 BLF6G10LS-135R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
KA5H0165RVYDTU KA5H0165RVYDTU --- Коммутационные микросхемы ---
MX3SWT-A1-R250-000CA2 MX3SWT-A1-R250-000CA2 --- Светодиоды высокой мощности ---
DCM122U100AB2B DCM122U100AB2B --- Конденсаторы ---
SN74AS245NSR SN74AS245NSR --- Логические микросхемы ---
74LCXZ2245SJ_Q 74LCXZ2245SJ_Q --- Логические микросхемы ---