BLF6G10LS-135R,118

BLF6G10LS-135R,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-135R,118
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5476591.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10LS-135R,118
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 21 dB
Выходная мощность 26.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 32 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 125 W
Тип продукта MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.23 Ohms
Размер фабричной упаковки 100 Другие названия товара № /T3 BLF6G10LS-135R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
T0816-PEQG T0816-PEQG Atmel Аппаратный драйвер лазера COM.DVD-3CH. CD LASER DRIVER ---
HN-291D HN-291D RFM Радиочастотные модули HOPNET 900 MHz FHSS Modbus 172.8 kb/s 2154033.pdf
RS3J-E3/57T RS3J-E3/57T Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 3.0 Amp 600V 250ns 3528006.pdf3528033.pdf
DAC712PK DAC712PK Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit Digital-to- Converter 1102625.pdf
L17H2221127 L17H2221127 --- Субминиатюрные соединители ---