BLF6G38LS-100,112

BLF6G38LS-100,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G38LS-100,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5475107.pdf
Детальное описание компонента BLF6G38LS-100,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.4 GHz to 3.6 GHz Усиление 13 dB
Выходная мощность 18.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 34 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 57.7 W
Тип продукта MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.18 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF6G38LS-100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
501783-1 501783-1 TE Connectivity / AMP Волоконно-оптические соединители DUPLEX STRAIN RELIEF FSD BEIGE ---
MAX506AEWP MAX506AEWP Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3918676.pdf
CP42B-RKS-CL0P0AA4 CP42B-RKS-CL0P0AA4 --- Светодиодная индикация ---
SN75138NE4 SN75138NE4 --- Логические микросхемы ---
04440 04440 --- Панельные измерительные приборы ---