BLF6G38LS-100,112

BLF6G38LS-100,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G38LS-100,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5475107.pdf
Детальное описание компонента BLF6G38LS-100,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.4 GHz to 3.6 GHz Усиление 13 dB
Выходная мощность 18.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 34 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 57.7 W
Тип продукта MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.18 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF6G38LS-100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IXBOD1-20R IXBOD1-20R Ixys Сидаки 1 Amps 2000V 215832.pdf
BBY53-03WE6433 BBY53-03WE6433 Infineon Technologies Варакторные диоды Silicon Tuning Diode HI-Q HYPRABRUPT TUNE ---
SSL-LX5093SGT-TR SSL-LX5093SGT-TR --- Светодиодная индикация ---
25SMT-3645-17 25SMT-3645-17 --- ЭМП и РЧП ---
SN74LS245DWRG4 SN74LS245DWRG4 --- Логические микросхемы ---