BLF6G22-45,112

BLF6G22-45,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22-45,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5473906.pdf
Детальное описание компонента BLF6G22-45,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2 GHz to 2.2 GHz Усиление 18.5 dB
Выходная мощность 2.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 12.5 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-608A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.2 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G22-45

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LQ048Y3DG02 LQ048Y3DG02 Sharp Microelectronics Тонкопленочные дисплеи и принадлежности 4.8" 800X480 TFT WVGA Digtl RGB Panel ---
106063-0400 106063-0400 Molex Волоконно-оптические соединители SC CONN (MMPC+ZR) 3m PC+ZR) 3mm 1PC 90DEG ---
20-101-1183 20-101-1183 Rabbit Semiconductor Комплектующие для программаторов USB PROGRAM CABLE ---
TLE2037CD TLE2037CD Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Low Noise High Gain 643857.pdf643883.pdf
UCC39002DGKR UCC39002DGKR --- Схемы управления питанием ---