BLF6G22-45,112

BLF6G22-45,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22-45,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5473906.pdf
Детальное описание компонента BLF6G22-45,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2 GHz to 2.2 GHz Усиление 18.5 dB
Выходная мощность 2.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 12.5 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-608A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.2 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G22-45

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LM139D LM139D Texas Instruments ИС, компараторы Quad GP Diff 9477633.pdf
HSCJ-HRFCJ-CD4(40) HSCJ-HRFCJ-CD4(40) Hirose Connector Волоконно-оптические соединители CONV ADAPTER 5901356.pdf
74AHCT574PW,118 74AHCT574PW,118 NXP Semiconductors Триггеры OCTAL D-TYPE 4226821.pdf
SN74ALVC00PWRE4 SN74ALVC00PWRE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quadruple 2-Input Positive-NAND Gate 8229256.pdf
MC100ELT25DTR2G MC100ELT25DTR2G ON Semiconductor Трансляция - уровни напряжения -5V Diff ECL to TTL ---