BLF6G22-45,112

BLF6G22-45,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G22-45,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5473906.pdf
Детальное описание компонента BLF6G22-45,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2 GHz to 2.2 GHz Усиление 18.5 dB
Выходная мощность 2.5 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 12.5 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-608A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.2 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G22-45

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
STEVAL-ISA031V1 STEVAL-ISA031V1 STMicroelectronics Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием 40W Auxiliary 3Phase Pwr Supply ---
F1857DH1600 F1857DH1600 Crydom Дискретные полупроводниковые модули 55A 600VAC MODULE SCR/DIODE 4405570.pdf
MAX294CSA+ MAX294CSA+ Maxim Integrated Products Active Filter 8th-Order Lowpass Switched-Cap 9248395.pdf
IS64LV25616AL-12BLA3 IS64LV25616AL-12BLA3 --- Микросхемы памяти ---
TPS65253RHDR TPS65253RHDR --- Схемы управления питанием ---