BLF6G27LS-40P,112

BLF6G27LS-40P,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G27LS-40P,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура POWER LDMOS TRANSISTOR
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5471910.pdf
Детальное описание компонента BLF6G27LS-40P,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.5 GHz to 2.7 GHz Усиление 17.5 dB
Выходная мощность 20 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 15.5 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-1121B
Упаковка Tube Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TLV320AIC32EVM TLV320AIC32EVM Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров Dghtr card only ---
FVP12030IM3LEG1 FVP12030IM3LEG1 Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Enrgy-recvry circt mod - PDP SPM ---
SN74AUC2G79DCUR SN74AUC2G79DCUR Texas Instruments Триггеры Dual Pos Edge Trggrd DTypeFlipFlop 7842454.pdf
74HCT1G32GW,165 74HCT1G32GW,165 NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2-INPUT OR GATE 8393077.pdf
NTSD0XH103EE1B6 NTSD0XH103EE1B6 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---