BLA1011S-200,112

BLA1011S-200,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLA1011S-200,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5471219.pdf
Детальное описание компонента BLA1011S-200,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.03 GHz to 1.09 GHz Усиление 13 dB
Выходная мощность 200 W Напряжение пробоя сток-исток 75 V
Напряжение пробоя затвор-исток +/- 22 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-538B Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 700 W Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLA1011S-200

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MMO175-12io7 MMO175-12io7 Ixys Дискретные полупроводниковые модули 175 Amps 1200V ---
6PS04012E33G27620 6PS04012E33G27620 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ---
AT25128B-SSHL-B AT25128B-SSHL-B --- Микросхемы памяти ---
BQ2000PN-B5 BQ2000PN-B5 --- Схемы управления питанием ---
TPS2491DGSG4 TPS2491DGSG4 --- Схемы управления питанием ---