BLF6G10S-45,112

BLF6G10S-45,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10S-45,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5470126.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10S-45,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 23 dB
Выходная мощность 1 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 13 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-608B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.2 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10S-45

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
111RKI40 111RKI40 Vishay Semiconductors Комплектные тиристорные устройства (SCR) 110 Amp 400 Volt 172 Amp IT(RMS) ---
NC7NZ04K8X NC7NZ04K8X Fairchild Semiconductor Инвертеры Inverter 5160971.pdf5160972.pdf
S-8211CAD-I6T1G S-8211CAD-I6T1G --- Схемы управления питанием ---
B72530V1170K062 B72530V1170K062 --- Варисторы ---
HPCPR420F HPCPR420F --- Аудио и видео разъемы ---