BLF6G10S-45,112

BLF6G10S-45,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10S-45,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5470126.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10S-45,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 23 dB
Выходная мощность 1 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 13 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-608B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.2 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10S-45

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
P1300SCRP P1300SCRP Littelfuse Сидаки 500A 120V 193129.pdf
5-960318-1 5-960318-1 TE Connectivity Волоконно-оптические соединители 2POS PIGTAIL CAB ASY 90 DEG, ODIN ---
SN74ACT7882-15PN SN74ACT7882-15PN --- Микросхемы памяти ---
LTST-C155GEKT LTST-C155GEKT --- Светодиодная индикация ---
LW T6SG-V2AB-7K8K-Z LW T6SG-V2AB-7K8K-Z --- Светодиодная индикация ---