BLS6G3135-20,112

BLS6G3135-20,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-20,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5468977.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-20,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 15.5 dB
Выходная мощность 20 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 2.1 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-608A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.58 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-20

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX8784EVKIT+ MAX8784EVKIT+ Maxim Integrated Products Средства разработки визуального вывода MAX8784 Eval Kit 9632725.pdf
2KBP005M 2KBP005M Fairchild Semiconductor Мостовые выпрямители 50V 2A BRIDGE 2697145.pdf2697162.pdf
LX803ME LX803ME Littelfuse Триаки 0.8A Sensitive Триаки 235321.pdf
SL28PCIe30ALI SL28PCIe30ALI Silicon Labs Тактовые генераторы и продукция для поддержки 6outputs 3sngl ended 25MHz crystal input 6442867.pdf
TODX294B(F) TODX294B(F) Toshiba Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы TOSLINK TRANSCEIVER ---