BLS6G3135-20,112

BLS6G3135-20,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G3135-20,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5468977.pdf
Детальное описание компонента BLS6G3135-20,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 3.1 GHz to 3.5 GHz Усиление 15.5 dB
Выходная мощность 20 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 2.1 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-608A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Тип продукта MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.58 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLS6G3135-20

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TVB090NSC-L TVB090NSC-L TE Connectivity / Raychem Сидаки 90V 150mA SiBar Thyristor TSPD ---
TPS62101D TPS62101D --- Схемы управления питанием ---
DG409AK/883B DG409AK/883B --- Коммутационные микросхемы ---
201911-1 201911-1 --- Прямоугольные разъемы ---
10028886-004ALF 10028886-004ALF --- Прямоугольные разъемы ---