BLF879P,112

BLF879P,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF879P,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура UHF POWER LDMOS TRANSISTOR
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5467614.pdf
Детальное описание компонента BLF879P,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 470 MHz to 860 MHz Усиление 21 dB at 860 MHz
Выходная мощность 200 W Напряжение пробоя сток-исток 104 V
Непрерывный ток стока 38 A Напряжение пробоя затвор-исток 11 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-539A
Упаковка Tube Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LDS-C357RI-USB LDS-C357RI-USB Lumex Цифровые дисплейные ЖК-модули .30" LED Display 470nm Blue Chips 5494168.pdf
MMBD6100LT1G MMBD6100LT1G ON Semiconductor Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 70V 200mA 3545292.pdf
MAX529CWG+ MAX529CWG+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8-Bit 8Ch Precision DAC 479020.pdf
MTGEZW-01-0000-0B00K050F MTGEZW-01-0000-0B00K050F --- Светодиоды высокой мощности ---
ECC-TFC330JG ECC-TFC330JG --- Конденсаторы ---