BLF6G10LS-160,118

BLF6G10LS-160,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-160,118
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5467085.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10LS-160,118
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 22.5 dB
Выходная мощность 32 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 39 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Reel Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 100 Другие названия товара № /T3 BLF6G10LS-160

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
S29JL032H90TFI010 S29JL032H90TFI010 --- Микросхемы памяти ---
MAX6439UTEHRD3+T MAX6439UTEHRD3+T --- Схемы управления питанием ---
SI9169DQ-T1-E3 SI9169DQ-T1-E3 --- Схемы управления питанием ---
C20F.0222 C20F.0222 --- Модули подачи питания ---
1-640513-0 1-640513-0 --- Прямоугольные разъемы ---