BLL1214-250,112

BLL1214-250,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLL1214-250,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS L-BAND
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5463972.pdf
Детальное описание компонента BLL1214-250,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.2 GHz to 1.4 GHz Усиление 12 dB
Выходная мощность 250 W Напряжение пробоя сток-исток 75 V
Непрерывный ток стока 45 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 22 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 400 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.06 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLL1214-250

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SST504 SST504 Vishay/Siliconix Диоды для стабилизации тока 0.75mA Current Reg 3441295.pdf
TISP4220M3BJR-S TISP4220M3BJR-S Bourns Сидаки PROTECTOR - SINGLE BIDIRECTIONAL 181128.pdf
MAX5151AEPE MAX5151AEPE Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3992523.pdf
TPS65811RTQRG4 TPS65811RTQRG4 --- Схемы управления питанием ---
MAX717CSE-T MAX717CSE-T --- Схемы управления питанием ---