PTFA212001E V4 R250

PTFA212001E V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA212001E V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 2110-2170 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA212001E V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2170 MHz Усиление 15.8 dB
Выходная мощность 200 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.6 A Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36260-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 625 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA212001EV4R25XT PTFA212001EV4R250XTMA1 PTFA212001EV4R250XTMA1, SP000393370,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX2204EVKIT+ MAX2204EVKIT+ Maxim Integrated Products Радиочастотные средства разработки MAX2204 Eval Kit 975880.pdf
FS300R16KF4 FS300R16KF4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1600V 300A F/DIODE ---
M28W640FCT70ZB6E M28W640FCT70ZB6E --- Микросхемы памяти ---
LC4384C-75FT256C LC4384C-75FT256C --- Программируемые логические интегральные схемы ---
CNX462GTPE024124 CNX462GTPE024124 --- Светодиодная индикация ---