PTFA212001E V4 R250

PTFA212001E V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA212001E V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 2110-2170 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA212001E V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2170 MHz Усиление 15.8 dB
Выходная мощность 200 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.6 A Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36260-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 625 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA212001EV4R25XT PTFA212001EV4R250XTMA1 PTFA212001EV4R250XTMA1, SP000393370,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SST175-E3 SST175-E3 Vishay/Siliconix JFET 45V 7mA ---
MC10EP33DTR2G MC10EP33DTR2G ON Semiconductor Синхронизаторы и распределители тактового сигнала 3.3V/5V ECL Divide By 4 Divider ---
MAX6442KAFIYD7+T MAX6442KAFIYD7+T --- Схемы управления питанием ---
VN750SMP-E VN750SMP-E --- Схемы управления питанием ---
HTSH4801ETK,118 HTSH4801ETK,118 --- RF Semiconductors ---