BLF6G20S-230PRN:11
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BLF6G20S-230PRN:11 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | 5463031.pdf | ||
| Детальное описание компонента BLF6G20S-230PRN:11 | |||
| Конфигурация | Dual | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Частота | 1.8 GHz to 2 GHz | Усиление | 17.5 dB |
| Выходная мощность | 65 W | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Непрерывный ток стока | 30 A | Напряжение пробоя затвор-исток | 13 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | SOT-539B |
| Упаковка | Reel | Вид монтажа | SMD/SMT |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BDP 953 E6327 | Infineon Technologies | Transistors Switching (Resistor Biased) NPN Silicon AF Power TRANSISTOR | --- |
|
|
 |
CD4007UBPWG4 | Texas Instruments | Специальные функциональные логические элементы CMOS Dual Comp Pair Plus Inverter | 4497704.pdf |
|
|
|
|
SN74LVC2G66DCUR | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
FOD2712_Q | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|
|
|
|
EYG-A121807P | --- | Термическое сопряжение | --- |
|