PTFA091201F V4 R250

PTFA091201F V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA091201F V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA091201F V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 920 MHz to 960 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 427 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.07 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA091201FV4R25XT PTFA091201FV4R250XTMA1 PTFA091201FV4R250XTMA1, SP000387077,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
Si8235BD-C-IS Si8235BD-C-IS Silicon Labs ИС, развязывающий интерфейс 5kV 4A Dual Low Side Isolated Driver 7723543.pdf7723544.pdf
FM25L04-GTR FM25L04-GTR --- Микросхемы памяти ---
BQ2057WTS BQ2057WTS --- Схемы управления питанием ---
TL431AILPRM TL431AILPRM --- Схемы управления питанием ---
nRF24LE1-F16Q48-R nRF24LE1-F16Q48-R --- RF Semiconductors ---