PTFA091201F V4 R250

PTFA091201F V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA091201F V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA091201F V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 920 MHz to 960 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 427 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.07 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA091201FV4R25XT PTFA091201FV4R250XTMA1 PTFA091201FV4R250XTMA1, SP000387077,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BT138-800/DG,127 BT138-800/DG,127 NXP Semiconductors Триаки 4Q TRIAC ---
NE94433-T1B-T44-A NE94433-T1B-T44-A CEL РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor 5381025.pdf
SN74HC163DT SN74HC163DT Texas Instruments ИС, счетчики 4-Bit Synchronous Binary Counters 4886110.pdf
CAT24C02WI-GT3 CAT24C02WI-GT3 --- Микросхемы памяти ---
SC2500-256C SC2500-256C --- Микросхемы памяти ---