PTFA181001F V4 R250

PTFA181001F V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA181001F V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1805-1880 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA181001F V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.8 GHz to 1.88 GHz Усиление 16.5 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37248-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 407 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.85 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA181001FV4R25XT SP000393340 SP000393340,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TURBO-DECO-X2-UT3 TURBO-DECO-X2-UT3 Lattice Программное обеспечение для разработки TURBO DECODER 9281782.pdf
MMUN2113LT3G MMUN2113LT3G ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR PNP 50V ---
TLV320AIC20IPFBG4 TLV320AIC20IPFBG4 Texas Instruments Аудио-КОДЕКи 64 x 18 3.3-V ASynch FIFO Memory 5828793.pdf
MAX3083EEPD MAX3083EEPD Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 5956355.pdf
111-0701-001 111-0701-001 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---