BLF6G10LS-160,112

BLF6G10LS-160,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-160,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5461790.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10LS-160,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 22.5 dB
Выходная мощность 32 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 39 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 115 W
Тип продукта MOSFET Power Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10LS-160

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ADC1212D080F1/DB,598 ADC1212D080F1/DB,598 NXP Semiconductors Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных ADC DEMO BOARD ---
Z4S264C Z4S264C STEC Твердотельные накопители (SSD) 64G 2.5" SATA Com Temp 1862602.pdf
MAX901ACSE+T MAX901ACSE+T Maxim Integrated Products ИС, компараторы High-Speed Voltage Comparator 9509877.pdf
SN74LS280DG4 SN74LS280DG4 Texas Instruments Функции четности 9B Odd Even Parity Generatr Checker 4032070.pdf
SSB-LX02SRC SSB-LX02SRC --- Светодиодная индикация ---