BLF6G10LS-160,112

BLF6G10LS-160,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-160,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5461790.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10LS-160,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 22.5 dB
Выходная мощность 32 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 39 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 115 W
Тип продукта MOSFET Power Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10LS-160

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX19705EVCMODU MAX19705EVCMODU Maxim Integrated Products Многоканальные аналого-цифровые (ADC) / цифро-аналоговые (DAC) преобразователи Evaluation System for the MAX19705 ---
MM74HCT138N_Q MM74HCT138N_Q Fairchild Semiconductor Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 3-to-8 Line Decoder 4081933.pdf
24AA1024T-I/SN 24AA1024T-I/SN --- Микросхемы памяти ---
LFXP10C-4F256CES LFXP10C-4F256CES --- Программируемые логические интегральные схемы ---
LFE3-150EA-8FN1156C LFE3-150EA-8FN1156C --- Программируемые логические интегральные схемы ---