BLF6G10LS-160,112

BLF6G10LS-160,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF6G10LS-160,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TNS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5461790.pdf
Детальное описание компонента BLF6G10LS-160,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 1 GHz Усиление 22.5 dB
Выходная мощность 32 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 39 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 115 W
Тип продукта MOSFET Power Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF6G10LS-160

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
XB24-Z7WIT-006 XB24-Z7WIT-006 Digi International Модули Zigbee / 802.15.4 XBee ZB, 1mW wire ant, 250K bps 2298633.pdf
LTL-30EJH96 LTL-30EJH96 --- Светодиодная индикация ---
B57820M561A5 B57820M561A5 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
VAOL-ST1XAX-SA VAOL-ST1XAX-SA --- Светодиоды высокой мощности ---
EEC-RF0V684 EEC-RF0V684 --- Конденсаторы ---