PTFA192001E V4 R250

PTFA192001E V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA192001E V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA192001E V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 417 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA192001EV4R25XT PTFA192001EV4R250XTMA1 PTFA192001EV4R250XTMA1, SP000393367,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
A000059 A000059 Arduino Interface Modules USB 2 SERIAL CONVERTER ---
ABEG-ET-DP101 ABEG-ET-DP101 Quatech Модули WiFi / 802.11 AirborneDirect Wierl ess Ethernet Bridge 2252322.pdf
GBPC3501W GBPC3501W Fairchild Semiconductor Мостовые выпрямители 35A Bridge Rectifier 2718988.pdf2719017.pdf
74LV4094PW 74LV4094PW NXP Semiconductors Регистры сдвига счетчика 8-ST SHIFT/STORE BUS REGISTER 2366385.pdf
DM74ALS37AM DM74ALS37AM Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Qdrpl 2-Inp NAND Buf ---