PTFA192001E V4 R250

PTFA192001E V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA192001E V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA192001E V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 900 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 417 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.05 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA192001EV4R25XT PTFA192001EV4R250XTMA1 PTFA192001EV4R250XTMA1, SP000393367,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS1982-F5W+ DS1982-F5W+ Maxim Integrated Products Контактная память 1521642.pdf
74VHC112MTC_Q 74VHC112MTC_Q Fairchild Semiconductor Триггеры Dual J-K Flip-Flops 7923317.pdf
DSPIC30F2010-20I/SO DSPIC30F2010-20I/SO Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 20MHz 12KB Flash 6206867.pdf
LM2773TL/NOPB LM2773TL/NOPB --- Схемы управления питанием ---
STB5610TR STB5610TR --- RF Semiconductors ---