PTFA082201E V4 R250

PTFA082201E V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA082201E V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 869-894 MHZ
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA082201E V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 869 MHz to 894 MHz Усиление 18 dB
Выходная мощность 220 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.95 A Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36260-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 700 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.04 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA082201EV4R25XT PTFA082201EV4R250XTMA1 PTFA082201EV4R250XTMA1, SP000408200,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DTA114TSATP DTA114TSATP ROHM Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) PNP 50V 100MA 9212963.pdf
MCP6S21-I/P MCP6S21-I/P Microchip Technology Специальные усилители 1-Chan. 12 MHz SPI 1938225.pdf1938246.pdf
TLE8458G V33 TLE8458G V33 Infineon Technologies Линейные интегральные трансиверы LIN Transcvr Integrt Low Drop Voltage Reg ---
DM74ALS1032AN DM74ALS1032AN Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Qdrpl 2-Inpt OR Buf ---
CY7C0852V-167BBC CY7C0852V-167BBC --- Микросхемы памяти ---