PTFA082201E V4 R250

PTFA082201E V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA082201E V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 869-894 MHZ
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA082201E V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 869 MHz to 894 MHz Усиление 18 dB
Выходная мощность 220 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1.95 A Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36260-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 700 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.04 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA082201EV4R25XT PTFA082201EV4R250XTMA1 PTFA082201EV4R250XTMA1, SP000408200,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
A09-QRAMM A09-QRAMM Digi International Антенны 915MHz 915MHz3" quar i MMCX wire antenna ---
N74F521N N74F521N NXP Semiconductors ИС, компараторы 8-BIT IDENT COMPARTR 9553473.pdf
SC16C554BIBS,557 SC16C554BIBS,557 NXP Semiconductors ИС, интерфейс UART 16CB 2.5V-5V 4CH 6196695.pdf
BD9739KN-E2 BD9739KN-E2 --- Схемы управления питанием ---
ATF1508AS-7JC84 ATF1508AS-7JC84 --- Программируемые логические интегральные схемы ---