PTFA082201E V4 R250
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | PTFA082201E V4 R250 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 869-894 MHZ | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента PTFA082201E V4 R250 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Частота | 869 MHz to 894 MHz | Усиление | 18 dB |
| Выходная мощность | 220 W | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Непрерывный ток стока | 1.95 A | Напряжение пробоя затвор-исток | 12 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | H-36260-2 |
| Упаковка | Reel | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Рассеяние мощности | 700 W |
| Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 0.04 Ohms at 10 V (Typ) | Размер фабричной упаковки | 250 |
| Другие названия товара № | FA082201EV4R25XT PTFA082201EV4R250XTMA1 PTFA082201EV4R250XTMA1, SP000408200, | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2PS06017E32G30879 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | --- |
|
|
 |
MC74VHCT373ADWR2 | ON Semiconductor | Защелки 5V Octal Transparent | --- |
|
|
|
|
S-1000C42-N4T1G | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
UCC2580N-3G4 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
MC12095DG | --- | RF Semiconductors | --- |
|