PTFA220081M V4-T
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | PTFA220081M V4-T | ||
Описание: | РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента PTFA220081M V4-T | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | N-Channel |
---|---|---|---|
Частота | 0.7 GHz to 2.2 GHz | Усиление | 17 dB |
Выходная мощность | 8 W | Напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
Непрерывный ток стока | 100 mA | Напряжение пробоя затвор-исток | 12 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | PG-SON-10 |
Упаковка | Reel | Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | FA220081MV4XT |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
HCTL-2021-A00 | Avago Technologies | Интерфейс - специализированный Quadrature Decoder | --- |
|
||
TDA3617J/N1C,112 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
SX-1-C-3.8-G D/C | --- | Комплектующие для испытательного оборудования | --- |
|
||
A16106-03 | --- | Термическое сопряжение | --- |
|
||
352730-1 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|