PTFA220081M V4-T

PTFA220081M V4-T
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA220081M V4-T
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA220081M V4-T
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 0.7 GHz to 2.2 GHz Усиление 17 dB
Выходная мощность 8 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 100 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок PG-SON-10
Упаковка Reel Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № FA220081MV4XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DVA18XP180 DVA18XP180 Microchip Technology Панели и адаптеры Device Adapter ---
CD1206-S0180 CD1206-S0180 Bourns Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) IO=100mA VR=80V HIGH SPEED 4096629.pdf
MAX5351BEUA-T MAX5351BEUA-T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3525950.pdf
74ACT02MTC 74ACT02MTC Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Qd 2-Input NOR Gate 8704439.pdf
CC2571RHAR CC2571RHAR --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---