BLF248,112

BLF248,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF248,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 300W VHF P-P
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5460277.pdf
Детальное описание компонента BLF248,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 225 MHz Усиление 10 dB
Выходная мощность 300 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 25 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-262 A1
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 500 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.15 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF248

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CAT5411YI-25-T2 CAT5411YI-25-T2 ON Semiconductor ИС, цифровые потенциометры DPP NV DUAL 64 TAPS SPI ---
U62256AS2K07LLG1 U62256AS2K07LLG1 --- Микросхемы памяти ---
MC79L12ACDR MC79L12ACDR --- Схемы управления питанием ---
SG6859ATY SG6859ATY --- Схемы управления питанием ---
XMLEZW-00-0000-0D0HU335F XMLEZW-00-0000-0D0HU335F --- Светодиоды высокой мощности ---