BLF248,112

BLF248,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF248,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 300W VHF P-P
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5460277.pdf
Детальное описание компонента BLF248,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 225 MHz Усиление 10 dB
Выходная мощность 300 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 25 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-262 A1
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 500 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.15 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF248

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
2701112 2701112 Phoenix Contact Средства разработки интегральных схем (ИС) памяти VL 80 GB SSD KIT ---
PUMD9,165 PUMD9,165 NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET DOUBLE 9505073.pdf
DDTA123TKA-7-F DDTA123TKA-7-F Diodes Inc. Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 2.2K 9536159.pdf
LM9044VX/NOPB LM9044VX/NOPB National Semiconductor (TI) Дифференциальные усилители 609314.pdf
74AC280SJX 74AC280SJX Fairchild Semiconductor Функции четности Parity Gen/Checker 9Bit ---