PD85025S-E

PD85025S-E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PD85025S-E
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура POWER R.F. N-Ch Trans
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 5460210.pdf
Детальное описание компонента PD85025S-E
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1 GHz Усиление 15.7 dB at 870 MHz
Выходная мощность 25 W Напряжение пробоя сток-исток 40 V
Непрерывный ток стока 7 A Напряжение пробоя затвор-исток 15 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок PowerSO-10RF (Straight Lead)
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 79 W
Тип продукта MOSFET Power

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ST7CAN-DEMO ST7CAN-DEMO STMicroelectronics Макетные платы и комплекты - другие процессоры ST7 CAN Demo Board ---
BF 1005S E6327 BF 1005S E6327 Infineon Technologies РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ---
B57560G0203F002 B57560G0203F002 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
B43584A9129M000 B43584A9129M000 --- Конденсаторы ---
MA19180JAN MA19180JAN --- Конденсаторы ---