SD56120M

SD56120M
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SD56120M
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch 65 Volt 14 Amp
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 5458880.pdf
Детальное описание компонента SD56120M
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 1 GHz Усиление 13 dB at 860 MHz
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 14 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок M252
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 3 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 236 W Тип продукта RF MOSFET Power
Размер фабричной упаковки 15

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DD350N16K DD350N16K Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 1600V 550A ---
LM2901AVQDR LM2901AVQDR Texas Instruments ИС, компараторы Quad Differential Comparator 9394079.pdf
MAX13085EASA+T MAX13085EASA+T Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 Half Duplex 500Kbps 5V RS-422/485 LD/Rcv 5885764.pdf
IS61NLP12836B-200TQLI IS61NLP12836B-200TQLI --- Микросхемы памяти ---
MAX5087BATE+T MAX5087BATE+T --- Схемы управления питанием ---