BLF246B,112

BLF246B,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF246B,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 60W VHF P-P
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5458261.pdf
Детальное описание компонента BLF246B,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 175 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 60 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 8 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-161A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 130 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.75 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF246B

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MTG-S12864IMNHSGW-10A MTG-S12864IMNHSGW-10A Microtips Technology Графические дисплейные ЖК-модули и принадлежности Dark Transmissive White LED Backlight ---
EVL6563S-250W EVL6563S-250W STMicroelectronics Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием 250W Transition-Mode PFC L6563S Eval BRD 9728382.pdf
PCI6540-CA13BC-G PCI6540-CA13BC-G PLX Technology Периферийные ИС и компоненты (PCI) Universal PCIX-PCIX Bridge 64Bit ---
NB-0625-1900-1C NB-0625-1900-1C --- Гибкие осветительные полосы ---
162GB16E2461SX608 162GB16E2461SX608 --- Цилиндрические разъемы ---