BLF246B,112

BLF246B,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF246B,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 60W VHF P-P
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5458261.pdf
Детальное описание компонента BLF246B,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 175 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 60 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 8 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-161A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 130 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.75 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF246B

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RK-WI.232FHSS-25-FCC-R RK-WI.232FHSS-25-FCC-R Linx Technologies Радиочастотные средства разработки Rapid Development Kit FCC certified 1075942.pdf
DS1135LZ-20 DS1135LZ-20 Maxim Integrated Products Линии задержки/хронирующие элементы 3V 3-In-1 High-Speed Silicon Delay Line 6669009.pdf
LTS-4540AG LTS-4540AG --- Светодиодные дисплеи ---
UBA2080T/1,518 UBA2080T/1,518 --- Схемы управления питанием ---
FSAV332MTC FSAV332MTC --- Коммутационные микросхемы ---