BLF246B,112

BLF246B,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF246B,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 60W VHF P-P
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5458261.pdf
Детальное описание компонента BLF246B,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 175 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 60 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 8 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-161A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 130 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.75 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF246B

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1N4151\F3 1N4151\F3 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Vr/75V Io/150mA AMMO 3658578.pdf
ST230C12C1 ST230C12C1 Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 1200 Volt 410 Amp ---
74HCT191N,652 74HCT191N,652 NXP Semiconductors ИС, счетчики SYNC BIN U/D COUNTER 9573384.pdf
1N6265_Q 1N6265_Q Fairchild Semiconductor Инфракрасные излучатели 6mW 1.7V IR LED ---
25LC160D-I/SN 25LC160D-I/SN --- Микросхемы памяти ---