BLF246B,112

BLF246B,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF246B,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 60W VHF P-P
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5458261.pdf
Детальное описание компонента BLF246B,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 175 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 60 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 8 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-161A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 130 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.75 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF246B

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
KSC1730OBU KSC1730OBU Fairchild Semiconductor РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Si Transistor Epitaxial 5328247.pdf
MCP4231T-503E/ST MCP4231T-503E/ST Microchip Technology ИС, цифровые потенциометры Dual 7B V SPI Rheo 5146500.pdf
74LVC573APW,112 74LVC573APW,112 NXP Semiconductors Защелки 3.3V OCTAL D TRANS 2153571.pdf
HSCH-5531 HSCH-5531 --- RF Semiconductors ---
562RTST10 562RTST10 --- Конденсаторы ---