BLF246B,112

BLF246B,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF246B,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 60W VHF P-P
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5458261.pdf
Детальное описание компонента BLF246B,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 175 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 60 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 8 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-161A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 130 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.75 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF246B

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PCK12429A,118 PCK12429A,118 NXP Semiconductors Тактовые генераторы и продукция для поддержки 25-400 MHZ DIFF PECL 6449482.pdf
V62/05619-02XE V62/05619-02XE Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) EP 14B 400MSPS DAC 2425152.pdf
DG442BDY-E3 DG442BDY-E3 --- Коммутационные микросхемы ---
553-0132-010F 553-0132-010F --- Светодиодная индикация ---
505-101BC 505-101BC --- Переключатели ---