PTFA091201E V4 R250

PTFA091201E V4 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA091201E V4 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA091201E V4 R250
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 920 MHz to 960 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 427 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.07 Ohms at 10 V (Typ) Размер фабричной упаковки 250
Другие названия товара № FA091201EV4R25XT PTFA091201EV4R250XTMA1 PTFA091201EV4R250XTMA1, SP000387060,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
25LC080-I/SN 25LC080-I/SN --- Микросхемы памяти ---
LDS-C324RI-SI LDS-C324RI-SI --- Светодиодные дисплеи ---
MGA-412P8-TR2G MGA-412P8-TR2G --- RF Semiconductors ---
PS2561-1-D-A PS2561-1-D-A --- Оптопары и оптроны ---
XRCWHT-L1-R250-006F6 XRCWHT-L1-R250-006F6 --- Светодиоды высокой мощности ---