PTFA091201E V4

PTFA091201E V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA091201E V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA091201E V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 920 MHz to 960 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 427 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.07 Ohms Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA091201EV4XP PTFA091201EV4XWSA1 PTFA091201EV4XWSA1, SP000317908,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ADC081C02XEB/NOPB ADC081C02XEB/NOPB National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных ADC081C02XEB EVAL BOARD 9623905.pdf
BT134-800E,127 BT134-800E,127 NXP Semiconductors Триаки RAIL TRIAC 224338.pdf
K42X-B25P/S-B4NR K42X-B25P/S-B4NR --- Субминиатюрные соединители ---
55PC6016-24-9/96-9CS2573 55PC6016-24-9/96-9CS2573 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---
74903-909 74903-909 --- Соединители для ввода и вывода ---