PTFA091201E V4

PTFA091201E V4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFA091201E V4
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFA091201E V4
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 920 MHz to 960 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 120 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 750 mA Напряжение пробоя затвор-исток 12 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-36248-2
Упаковка Tray Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 427 W
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.07 Ohms Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FA091201EV4XP PTFA091201EV4XWSA1 PTFA091201EV4XWSA1, SP000317908,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IXGH10N170 IXGH10N170 Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 4 V Rds ---
MX7533JCWE+ MX7533JCWE+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 10-Bit Precision DAC 1130318.pdf
680-10PK 680-10PK Chicago Miniature Лампы Incdscnt 5V T-1 3/4 Bi-Pin 60mA ---
SN74ALVC04PWR SN74ALVC04PWR Texas Instruments Инвертеры Hex 5114985.pdf
MAX6442KABISD7+T MAX6442KABISD7+T --- Схемы управления питанием ---