PTFB193404F V1 R250

PTFB193404F V1 R250
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PTFB193404F V1 R250
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 340W 30V 1930-1990 MHz
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента PTFB193404F V1 R250
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 1.93 GHz to 1.99 GHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 100 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 2.6 A Напряжение пробоя затвор-исток 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок H-37275-6-2
Упаковка Reel Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № FB193404FV1R25NT PTFB193404FV1R250XTMA1 PTFB193404FV1R250XTMA1, SP000865990,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MTC-S16100XRGHS-10 MTC-S16100XRGHS-10 Microtips Technology Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие Gray Reflective ---
MAX3736ETE-T MAX3736ETE-T Maxim Integrated Products Аппаратный драйвер лазера 3.2Gbps Low-Power SFP Аппаратный драйвер лазера 5543026.pdf
FFD08S60S_F085 FFD08S60S_F085 Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT FOR HID APP ---
BCR 116S H6327 BCR 116S H6327 Infineon Technologies Transistors Switching (Resistor Biased) AF DIGITAL TRANSISTOR ---
HFBR-789BZ HFBR-789BZ Avago Technologies Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы RX 2.5G Plgb 62.5um ---