BLF7G10L-250,112

BLF7G10L-250,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF7G10L-250,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5454809.pdf
Детальное описание компонента BLF7G10L-250,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 920 MHz to 960 MHz Усиление 19.5 dB
Выходная мощность 60 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 56 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Reel Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NCP3155BGEVB NCP3155BGEVB ON Semiconductor Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием 3 A SYNCHRONOUS BUCK ---
MX7545ACQ MX7545ACQ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3112706.pdf
ML4841CP_Q ML4841CP_Q --- Схемы управления питанием ---
OVS5MABCR4 OVS5MABCR4 --- Светодиоды высокой мощности ---
PVW9577CC PVW9577CC --- Электронное оборудование ---