BLM6G22-30G,118

BLM6G22-30G,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLM6G22-30G,118
Описание: Transistors de puissance RF à MOSFET W-CDMA 2100-2200MHZ POWER MMIC
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5450806.pdf
Детальное описание компонента BLM6G22-30G,118
Fabricant NXP Configuration Dual
Polarité du transistor N-Channel Fréquence 2.1 GHz to 2.2 GHz
Gain 29.5 dB Alimentation en sortie 2 W
Tension drain-source de rupture 65 V Courant débité continu 9 A
Tension gâchette-cathode de rupture 13 V Température de fonctionnement max. + 150 C
Package/Boîte HSOP-16 Conditionnement Reel
Style de montage SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX14510EEVB+T MAX14510EEVB+T Maxim Integrated Products Средства разработки интегральных схем (ИС) переключателей USB 2.0 Hi-Speed Audio Switches 9749710.pdf
6EL1S 6EL1S --- Фильтры цепи питания ---
88970483 88970483 --- Промышленные контроллеры ---
RBS130200 RBS130200 --- Датчики вибрации и наклона ---
TCH35P7R50J TCH35P7R50J --- Резисторы ---