BLM6G22-30G,118

BLM6G22-30G,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLM6G22-30G,118
Описание: Transistors de puissance RF à MOSFET W-CDMA 2100-2200MHZ POWER MMIC
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5450806.pdf
Детальное описание компонента BLM6G22-30G,118
Fabricant NXP Configuration Dual
Polarité du transistor N-Channel Fréquence 2.1 GHz to 2.2 GHz
Gain 29.5 dB Alimentation en sortie 2 W
Tension drain-source de rupture 65 V Courant débité continu 9 A
Tension gâchette-cathode de rupture 13 V Température de fonctionnement max. + 150 C
Package/Boîte HSOP-16 Conditionnement Reel
Style de montage SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ATEVK1010A ATEVK1010A Atmel Макетные платы и комплекты - AVR AT42QT1010 Eval Kit 9764510.pdf
SN74CB3T1G125DBVR SN74CB3T1G125DBVR --- Коммутационные микросхемы ---
ES1000-NO.4-B7-X-STK ES1000-NO.4-B7-X-STK --- Рубки и рукава ---
MAX6642ATT98-T MAX6642ATT98-T --- Board Mount Sensors ---
ABSM2-7.3728MHZ-4-T ABSM2-7.3728MHZ-4-T --- Контроль частоты и таймеры ---