BLM6G22-30G,118

BLM6G22-30G,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLM6G22-30G,118
Описание: Transistors de puissance RF à MOSFET W-CDMA 2100-2200MHZ POWER MMIC
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5450806.pdf
Детальное описание компонента BLM6G22-30G,118
Fabricant NXP Configuration Dual
Polarité du transistor N-Channel Fréquence 2.1 GHz to 2.2 GHz
Gain 29.5 dB Alimentation en sortie 2 W
Tension drain-source de rupture 65 V Courant débité continu 9 A
Tension gâchette-cathode de rupture 13 V Température de fonctionnement max. + 150 C
Package/Boîte HSOP-16 Conditionnement Reel
Style de montage SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN74LV27ADGVRG4 SN74LV27ADGVRG4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Triple 3 Input Pos NOR Gate 8152978.pdf
74LVQ00SC_Q 74LVQ00SC_Q Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Qd 2-Input NAND Gate ---
Q19P1BXXR12E Q19P1BXXR12E --- Светодиодная индикация ---
Y92E-B30MT Y92E-B30MT --- Оптические детекторы и датчики ---
BU-1414-E-60-0 BU-1414-E-60-0 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---