BLM6G22-30G,118

BLM6G22-30G,118
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLM6G22-30G,118
Описание: Transistors de puissance RF à MOSFET W-CDMA 2100-2200MHZ POWER MMIC
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5450806.pdf
Детальное описание компонента BLM6G22-30G,118
Fabricant NXP Configuration Dual
Polarité du transistor N-Channel Fréquence 2.1 GHz to 2.2 GHz
Gain 29.5 dB Alimentation en sortie 2 W
Tension drain-source de rupture 65 V Courant débité continu 9 A
Tension gâchette-cathode de rupture 13 V Température de fonctionnement max. + 150 C
Package/Boîte HSOP-16 Conditionnement Reel
Style de montage SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TS3022IDT TS3022IDT STMicroelectronics ИС, компараторы Rail to Rail 1.8V Hi Spd comparator 9451147.pdf
912-620 912-620 --- Светодиодная индикация ---
FAD1-12032CBLW12 FAD1-12032CBLW12 --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---
108483030003025 108483030003025 --- Прямоугольные разъемы ---
8521 010100 8521 010100 --- Провод - одножильный ---