BLF7G22L-160,112

BLF7G22L-160,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF7G22L-160,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5448801.pdf
Детальное описание компонента BLF7G22L-160,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2 GHz to 2.2 GHz Усиление 18 dB
Выходная мощность 43 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 36 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502A
Упаковка Tube Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CP2400-GM CP2400-GM Silicon Labs Аппаратные драйверы ЖКД 128 Segment LCD drvr SPI i/f 48Pin QFN 3892534.pdf3892556.pdf
MCD250-12io1 MCD250-12io1 Ixys Дискретные полупроводниковые модули 250 Amps 1200V 4542494.pdf
1754485-2 1754485-2 TE Connectivity / AMP Волоконно-оптические соединители KIT LIGHTCRIMP+ LC DUPLEX MM ---
CD4825W3V CD4825W3V --- Оптопары и оптроны ---
DCMC472M450DE5HP DCMC472M450DE5HP --- Конденсаторы ---