BLS6G2933P-200,117

BLS6G2933P-200,117
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G2933P-200,117
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS S-BAND RADAR PALLET AMPLIFIER
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5447616.pdf
Детальное описание компонента BLS6G2933P-200,117
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.9 GHz to 3.3 GHz Усиление 11 dB
Выходная мощность 220 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 66 A Напряжение пробоя затвор-исток 11 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOM038 (LDMOS)
Упаковка Tray Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TD62064AFG(5,S,EL) TD62064AFG(5,S,EL) Toshiba Transistors Darlington 4CH. 50V/1.5A IFD IC ---
PCA9548AD,112 PCA9548AD,112 NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры I2C SWITCH 8CH 3537627.pdf
TPIC44L01DBRG4 TPIC44L01DBRG4 --- Схемы управления питанием ---
BZ113B104ZCB BZ113B104ZCB --- Конденсаторы ---
216398-4 216398-4 --- Прямоугольные разъемы ---