BLS6G2731S-130,112

BLS6G2731S-130,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLS6G2731S-130,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS S-BAND RADAR POWER TRANSISTOR
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5446089.pdf
Детальное описание компонента BLS6G2731S-130,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2.7 GHz to 3.1 GHz Усиление 12 dB
Выходная мощность 130 W Напряжение пробоя сток-исток 60 V
Непрерывный ток стока 33 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-922-1
Упаковка Tube Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX8728ETJ+ MAX8728ETJ+ Maxim Integrated Products Аппаратные драйверы ЖКД Power Supply for LCD/TV 3896983.pdf
PD85025STR-E PD85025STR-E STMicroelectronics РЧ транзисторы, МОП-структура POWER R.F. N-Ch Trans 5464408.pdf
TCA6424ARGJR TCA6424ARGJR Texas Instruments Расширители ввода/вывода, ретрансляторы и концентраторы Lo-Vltg 24B I2C and SMBus I/O Expander 4867337.pdf
4420.04 4420.04 --- Автоматические выключатели ---
EC12E1240405 EC12E1240405 --- Кодеры ---