BLF7G22LS-160,112

BLF7G22LS-160,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF7G22LS-160,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5444979.pdf
Детальное описание компонента BLF7G22LS-160,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 2 GHz to 2.2 GHz Усиление 18 dB
Выходная мощность 43 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 36 A Напряжение пробоя затвор-исток 13 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-502B
Упаковка Tube Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PDTA143EK,115 PDTA143EK,115 NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET TAPE-7 ---
MAX6442KANTZD7+T MAX6442KANTZD7+T --- Схемы управления питанием ---
74HC2G66DP,125 74HC2G66DP,125 --- Коммутационные микросхемы ---
BH1600FVC-TR BH1600FVC-TR --- Оптические детекторы и датчики ---
DCM222U40AA2B DCM222U40AA2B --- Конденсаторы ---