PD57006-E

PD57006-E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PD57006-E
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF POWER TRANS
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 5436053.pdf
Детальное описание компонента PD57006-E
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1 GHz Усиление 15 dB at 945 MHz
Выходная мощность 6 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок PowerSO-10RF (Formed Lead)
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 0.58 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 20 W Тип продукта RF MOSFET Power
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
S1D13748B00B10B S1D13748B00B10B Epson Electronics America Display Drivers 1024KB SRAM ---
507-3918-0333-600F 507-3918-0333-600F Dialight Лампы INCAND DATALITE ---
IS46R86400D-6TLA1-TR IS46R86400D-6TLA1-TR --- Микросхемы памяти ---
CY7C1163KV18-450BZC CY7C1163KV18-450BZC --- Микросхемы памяти ---
IL388DAA-00T IL388DAA-00T --- Оптопары и оптроны ---