PD57006-E

PD57006-E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PD57006-E
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF POWER TRANS
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 5436053.pdf
Детальное описание компонента PD57006-E
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1 GHz Усиление 15 dB at 945 MHz
Выходная мощность 6 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок PowerSO-10RF (Formed Lead)
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 0.58 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 20 W Тип продукта RF MOSFET Power
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DMG964020R DMG964020R Panasonic Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm ---
NC7SP157P6X_Q NC7SP157P6X_Q Fairchild Semiconductor Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 2-Input Multiplexer 4039409.pdf
dsPIC33FJ256GP710T-I/PT dsPIC33FJ256GP710T-I/PT Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 256KB FL 30720bytes RAM 40MIPS 85I/O 6003897.pdf
ispLSI 1048E-70LQI ispLSI 1048E-70LQI --- Программируемые логические интегральные схемы ---
4623 4623 --- Светодиодная индикация ---