PD57006-E

PD57006-E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PD57006-E
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF POWER TRANS
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 5436053.pdf
Детальное описание компонента PD57006-E
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1 GHz Усиление 15 dB at 945 MHz
Выходная мощность 6 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 1 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок PowerSO-10RF (Formed Lead)
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 0.58 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 20 W Тип продукта RF MOSFET Power
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LQ0DDB5337 LQ0DDB5337 Sharp Microelectronics Люминесцентные лампы с холодным катодом (CCFL) CCFT for LQ104V1DG51 ---
NJM78L07UA-TE1 NJM78L07UA-TE1 --- Схемы управления питанием ---
ATF16V8C-7JI ATF16V8C-7JI --- Программируемые логические интегральные схемы ---
EL213(TB)-V EL213(TB)-V --- Оптопары и оптроны ---
SA1B1-103 SA1B1-103 --- ЭМП и РЧП ---