BLF647,112

BLF647,112
Кол-во:
Заказать
На складе 1-2 недели
Название: BLF647,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS 150W UHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5435167.pdf5435175.pdf
Детальное описание компонента BLF647,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 800 MHz Усиление 12.5 dB
Выходная мощность 150 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 18 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 15 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-540A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 290 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF647 stock_1_2_week 24

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MC56F8367EVME MC56F8367EVME Freescale Semiconductor Макетные платы и комплекты - другие процессоры MC56F8367 EVALUATION BOARD 9769189.pdf
AX5042-QFN28-TA AX5042-QFN28-TA --- RF Semiconductors ---
471-Black-1/2"x36yd-Box 471-Black-1/2"x36yd-Box --- Ленты и мастики ---
KMDG-7S-BS KMDG-7S-BS --- Цилиндрические разъемы ---
5517 SL005 5517 SL005 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---