BLF647,112

BLF647,112
Кол-во:
Заказать
На складе 1-2 недели
Название: BLF647,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS 150W UHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5435167.pdf5435175.pdf
Детальное описание компонента BLF647,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 800 MHz Усиление 12.5 dB
Выходная мощность 150 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 18 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 15 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-540A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 290 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF647 stock_1_2_week 24

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3221EIPWG4 MAX3221EIPWG4 Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 3-5.5V Sgl-Ch RS- 232 Line Drvr/Rcvr 5198136.pdf
LM2653MTC-ADJ/NOPB LM2653MTC-ADJ/NOPB --- Схемы управления питанием ---
E-TEA3718D E-TEA3718D --- Схемы управления питанием ---
5120.2303.1 5120.2303.1 --- Модули подачи питания ---
50LMF-132 50LMF-132 --- Потенциометры, подстроечные элементы и реостаты ---