BLF647,112

BLF647,112
Кол-во:
Заказать
На складе 1-2 недели
Название: BLF647,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS 150W UHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5435167.pdf5435175.pdf
Детальное описание компонента BLF647,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 800 MHz Усиление 12.5 dB
Выходная мощность 150 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 18 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 15 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-540A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 290 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF647 stock_1_2_week 24

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN74ALS257ANSRE4 SN74ALS257ANSRE4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Quad 2-to-1 Data Slct/Mltpx W/3St Otp 3449930.pdf
CY7C1320JV18-300BZC CY7C1320JV18-300BZC --- Микросхемы памяти ---
OVSPRAC5R8 OVSPRAC5R8 --- Светодиоды высокой мощности ---
MLCSWT-A1-0000-0001DT MLCSWT-A1-0000-0001DT --- Светодиоды высокой мощности ---
DMS-BZL2 DMS-BZL2 --- Панельные измерительные приборы ---