PD55003-E

PD55003-E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PD55003-E
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF POWER TRANS
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 5434635.pdf
Детальное описание компонента PD55003-E
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1 GHz Усиление 17 dB at 500 MHz
Выходная мощность 3 W Напряжение пробоя сток-исток 40 V
Непрерывный ток стока 2.5 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок PowerSO-10RF (Formed Lead)
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 1 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 31.7 W Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
C8051F530-TB C8051F530-TB Silicon Labs Макетные платы и комплекты - 8051 PrototypingBoard with C8051F530 9755206.pdf
2N6042G 2N6042G ON Semiconductor Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power PNP ---
TIP141FTU TIP141FTU Fairchild Semiconductor Transistors Darlington ---
DS3142 DS3142 Maxim Integrated Products ИС, сетевые контроллеры и процессоры Dual DS3/E3 Framer 9589676.pdf
PTGL18AR4R7M6C01B0 PTGL18AR4R7M6C01B0 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---