BLF245,112

BLF245,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF245,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 30W VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5432600.pdf5432604.pdf
Детальное описание компонента BLF245,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 175 MHz Усиление 15.5 dB
Выходная мощность 30 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 6 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-123A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 68 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.75 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF245

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RGP10MHE3/73 RGP10MHE3/73 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 1000 Volt 500ns 3831544.pdf
LAN91C111I-NE LAN91C111I-NE SMSC ИС, Ethernet Non-PCI 10/100 Ethernet MAC 6933212.pdf
MCP4641T-103E/ST MCP4641T-103E/ST Microchip Technology ИС, цифровые потенциометры Dual 7B NV I2C POT 5107527.pdf
AT24C08-10PI-1.8 AT24C08-10PI-1.8 --- Микросхемы памяти ---
LM34919BTLX/NOPB LM34919BTLX/NOPB --- Схемы управления питанием ---