BLF177,112

BLF177,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF177,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 150W HF-VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5432491.pdf5432495.pdf
Детальное описание компонента BLF177,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 108 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 150 W Напряжение пробоя сток-исток 125 V
Непрерывный ток стока 16 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-121B
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 6.2 S, 4.5 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 220 W Тип продукта RF MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.3 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF177

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SP7655EB SP7655EB Exar Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием Eval Board for SP7655 Series 9745399.pdf9745400.pdf
CAT5114ZI-50-G CAT5114ZI-50-G ON Semiconductor ИС, цифровые потенциометры DPP,NV 32 taps Up/Down ---
L6590N L6590N --- Схемы управления питанием ---
KA5H0365RTU_Q KA5H0365RTU_Q --- Коммутационные микросхемы ---
CWD48125S CWD48125S --- Оптопары и оптроны ---