BLF177,112

BLF177,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF177,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 150W HF-VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5432491.pdf5432495.pdf
Детальное описание компонента BLF177,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 108 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 150 W Напряжение пробоя сток-исток 125 V
Непрерывный ток стока 16 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-121B
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 6.2 S, 4.5 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 220 W Тип продукта RF MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.3 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF177

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MMUN2116LT1G MMUN2116LT1G ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT PNP ---
SL38000ZIT SL38000ZIT Silicon Labs Тактовые генераторы и продукция для поддержки 1-200MHz 4PLL 9Out CG/SSCG 3.3-2.5V 6355745.pdf
CY74FCT374ATSOCT CY74FCT374ATSOCT Texas Instruments Триггеры Octal D-Type Reg With 3-State Outputs 7819554.pdf
ispLSI 5512VA-100LB388 ispLSI 5512VA-100LB388 --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MAX333EPP+ MAX333EPP+ --- Коммутационные микросхемы ---