BLF177,112

BLF177,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF177,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 150W HF-VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5432491.pdf5432495.pdf
Детальное описание компонента BLF177,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 108 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 150 W Напряжение пробоя сток-исток 125 V
Непрерывный ток стока 16 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-121B
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 6.2 S, 4.5 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 220 W Тип продукта RF MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.3 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF177

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX932CUA-T MAX932CUA-T Maxim Integrated Products ИС, компараторы Comparator w/2% Reference 9534671.pdf
DAC8871SPWR DAC8871SPWR Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16B S-Ch Serial Interface 2683564.pdf
74AC11004DWRE4 74AC11004DWRE4 Texas Instruments Инвертеры HEX INVERTERS 1112434.pdf
SN74HC245PW SN74HC245PW --- Логические микросхемы ---
243A10140X 243A10140X --- Субминиатюрные соединители ---