BLF177,112

BLF177,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF177,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 150W HF-VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5432491.pdf5432495.pdf
Детальное описание компонента BLF177,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 108 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 150 W Напряжение пробоя сток-исток 125 V
Непрерывный ток стока 16 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-121B
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 6.2 S, 4.5 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 220 W Тип продукта RF MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.3 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF177

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS1110LE-250 DS1110LE-250 Maxim Integrated Products Линии задержки/хронирующие элементы 3V 10-Tap Silicon Delay Line 6674198.pdf
MC14001UBD MC14001UBD ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 3-18V Quad 2-Input ---
AFC477M10G24B AFC477M10G24B --- Конденсаторы ---
VDRS05C050BSE VDRS05C050BSE --- Варисторы ---
H6502NLT H6502NLT --- Трансформаторы сигналов ---