BLF177,112

BLF177,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF177,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 150W HF-VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5432491.pdf5432495.pdf
Детальное описание компонента BLF177,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 108 MHz Усиление 19 dB
Выходная мощность 150 W Напряжение пробоя сток-исток 125 V
Непрерывный ток стока 16 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-121B
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 6.2 S, 4.5 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 220 W Тип продукта RF MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.3 Ohms Размер фабричной упаковки 20
Другие названия товара № BLF177

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPS65030EVM-162 TPS65030EVM-162 Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием PWR MGMT IC ---
W1038 W1038 Pulse Антенны 2.4GHz 4.9dBi R-SMA 256689.pdf
NC7SZ02M5 NC7SZ02M5 Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) USE 512-NC7SZ02M5X 8116954.pdf
dsPIC33FJ16MC101-E/SO dsPIC33FJ16MC101-E/SO Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16b Mtr Ctrl 16MIPS 16KB FL 1KB RAM ---
LFSCM3GA25EP1-5FFN1020I LFSCM3GA25EP1-5FFN1020I --- Программируемые логические интегральные схемы ---