PD57018-E

PD57018-E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PD57018-E
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура POWER RF Transistor
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 5432291.pdf
Детальное описание компонента PD57018-E
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1 GHz Усиление 16.5 dB at 945 MHz
Выходная мощность 18 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 2.5 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок PowerSO-10RF (Formed Lead)
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 1 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 31.7 W Тип продукта RF MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.76 Ohms Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NHD-0208BZ-FL-YBW NHD-0208BZ-FL-YBW Newhaven Display Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие STN- Y/G Transfl 58.0 x 32.0 4773755.pdf4773792.pdf
NE94433-T1B-A NE94433-T1B-A CEL РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor 5381242.pdf
3P25U3H/18 3P25U3H/18 --- Автоматические выключатели ---
LTL-368DJW LTL-368DJW --- Светодиодная индикация ---
OP800B OP800B --- Оптические детекторы и датчики ---