PD57018-E

PD57018-E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PD57018-E
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура POWER RF Transistor
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 5432291.pdf
Детальное описание компонента PD57018-E
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1 GHz Усиление 16.5 dB at 945 MHz
Выходная мощность 18 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 2.5 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок PowerSO-10RF (Formed Lead)
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 1 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 31.7 W Тип продукта RF MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.76 Ohms Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BLF7G22LS-100P,118 BLF7G22LS-100P,118 NXP Semiconductors РЧ транзисторы, МОП-структура Pwr LDMOS transistor transistor 5451557.pdf
MX7530LCWE-T MX7530LCWE-T --- Схемы преобразования данных ---
SFH 482-1/2 SFH 482-1/2 OSRAM Opto Semiconductors Инфракрасные излучатели GaAlAs 880nm MTL CAN HALF ANGLE +/-30DEG ---
SN74HC251PWE4 SN74HC251PWE4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Data w/3-State Out Selector/Multiplexer 3008672.pdf
LTD-2701WC LTD-2701WC --- Светодиодные дисплеи ---