PD57018-E

PD57018-E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PD57018-E
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура POWER RF Transistor
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 5432291.pdf
Детальное описание компонента PD57018-E
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 1 GHz Усиление 16.5 dB at 945 MHz
Выходная мощность 18 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 2.5 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок PowerSO-10RF (Formed Lead)
Упаковка Tube Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 1 S
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 31.7 W Тип продукта RF MOSFET Power
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.76 Ohms Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TD62783AFG(O,S) TD62783AFG(O,S) Toshiba Display Drivers 8-Ch NPN Driver 50V -500mA 5V 3806312.pdf
74HCT14DTR2G 74HCT14DTR2G ON Semiconductor Инвертеры HEX SCHMITT TRIGGER INVERTER ---
MM74C905N_Q MM74C905N_Q Fairchild Semiconductor Регистры 12-Bit Suc App Reg ---
FX5545G3053V6PI FX5545G3053V6PI --- Схемы управления питанием ---
S-80809CNNB-B7NT2G S-80809CNNB-B7NT2G --- Схемы управления питанием ---