BLF861A,112

BLF861A,112
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BLF861A,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS 150W UHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5430849.pdf5430855.pdf
Цены: Розн.40$
Детальное описание компонента BLF861A,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 860 MHz Усиление 14.5 dB
Выходная мощность 150 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 18 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 15 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-540A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 318 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF861A
order_2_3week 7

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN75LVDS387DGGRG4 SN75LVDS387DGGRG4 Texas Instruments ИС интерфейса LVDS 2.5V/3.3V 16-Bit Bus Trncvr W/3-St Otpt 7788550.pdf
V62/08606-01XE V62/08606-01XE --- Схемы управления питанием ---
FAD1-02510CBMW11 FAD1-02510CBMW11 --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---
1489127-8 1489127-8 --- Прямоугольные разъемы ---
CD10ED330GO3F CD10ED330GO3F --- Конденсаторы ---