BLF861A,112

BLF861A,112
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BLF861A,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS 150W UHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5430849.pdf5430855.pdf
Цены: Розн.40$
Детальное описание компонента BLF861A,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 860 MHz Усиление 14.5 dB
Выходная мощность 150 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 18 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 15 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-540A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 318 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.16 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF861A
order_2_3week 7

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SRP600A-E3/51 SRP600A-E3/51 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 50 Volt 6.0A 100ns 3665156.pdf
IXGT31N60D1 IXGT31N60D1 Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V 1.7 Rds ---
TS864AIDT TS864AIDT STMicroelectronics ИС, компараторы Quad Rail-to-Rail 9511342.pdf
B65887E1000J041 B65887E1000J041 --- ЭМП и РЧП ---
94203 94203 --- Антистатический контроль ---