BLF175,112

BLF175,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF175,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 30W HF-VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5430527.pdf5430536.pdf
Детальное описание компонента BLF175,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 108 MHz Усиление 20 dB
Выходная мощность 30 W Напряжение пробоя сток-исток 125 V
Непрерывный ток стока 4 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-123A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 68 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 1.5 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF175

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HSC-PH0.9-E2(51) HSC-PH0.9-E2(51) Hirose Connector Волоконно-оптические соединители PLUG .9MM ---
DS1806E-010/T&R DS1806E-010/T&R Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры 5213106.pdf
HDSP-5707 HDSP-5707 --- Светодиодные дисплеи ---
TDK5110 TDK5110 --- RF Semiconductors ---
74CBTLV3245ARGYRG4 74CBTLV3245ARGYRG4 --- Коммутационные микросхемы ---