BLF175,112

BLF175,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF175,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 30W HF-VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5430527.pdf5430536.pdf
Детальное описание компонента BLF175,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 108 MHz Усиление 20 dB
Выходная мощность 30 W Напряжение пробоя сток-исток 125 V
Непрерывный ток стока 4 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-123A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 68 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 1.5 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF175

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
106166-1110 106166-1110 Molex Волоконно-оптические соединители SCD/ST ADPT ZR FGLS T ADPT ZR FGLS BEIGE ---
MC10H105FNR2 MC10H105FNR2 ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Triple 2-3-2 Input ---
STK14D88-NF35I STK14D88-NF35I --- Микросхемы памяти ---
MAX4583AUE+ MAX4583AUE+ --- Коммутационные микросхемы ---
905-355 905-355 --- Светодиодная индикация ---