BLF175,112

BLF175,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF175,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 30W HF-VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5430527.pdf5430536.pdf
Детальное описание компонента BLF175,112
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Частота 108 MHz Усиление 20 dB
Выходная мощность 30 W Напряжение пробоя сток-исток 125 V
Непрерывный ток стока 4 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-123A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 68 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 1.5 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF175

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
VHFD29-14io1 VHFD29-14io1 Ixys Модули КТУ (SCR) 29 Amps 1400V 139838.pdf
MAX1845EEI-T MAX1845EEI-T --- Схемы управления питанием ---
OA109AP-22-1TBXC OA109AP-22-1TBXC --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---
213093-2 213093-2 --- Прямоугольные разъемы ---
2036-07-SM-RP 2036-07-SM-RP --- Газоразрядные трубки и разрядники ---