BLF278,112

BLF278,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF278,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 250W VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5430183.pdf5430189.pdf
Детальное описание компонента BLF278,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 225 MHz Усиление 16 dB
Выходная мощность 250 W Напряжение пробоя сток-исток 125 V
Непрерывный ток стока 18 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-262 A1
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 500 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.3 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF278

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
74VHCT32D,118 74VHCT32D,118 NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) OR 4CIRCUIT 5.5V 7937213.pdf
IS49NLC36800-33BI IS49NLC36800-33BI --- Микросхемы памяти ---
93C66AT-I/SNG 93C66AT-I/SNG --- Микросхемы памяти ---
4410.0151 4410.0151 --- Автоматические выключатели ---
QSD2030 QSD2030 --- Оптические детекторы и датчики ---