BLF278,112

BLF278,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF278,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 250W VHF
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5430183.pdf5430189.pdf
Детальное описание компонента BLF278,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 225 MHz Усиление 16 dB
Выходная мощность 250 W Напряжение пробоя сток-исток 125 V
Непрерывный ток стока 18 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-262 A1
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 500 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 0.3 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF278

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN65MLVD3DRBR SN65MLVD3DRBR Texas Instruments ИС интерфейса LVDS 1-Ch M-LVDS Type-2 7778903.pdf
CD74HC4511PWRG4 CD74HC4511PWRG4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Hi Spd CMOS Log BCD-to-7 Segment 3124068.pdf
93AA86C-I/STG 93AA86C-I/STG --- Микросхемы памяти ---
S-8521A35MC-AXU-T2 S-8521A35MC-AXU-T2 --- Схемы управления питанием ---
HCPL-261N-360E HCPL-261N-360E --- Оптопары и оптроны ---