BF1211R,215

BF1211R,215
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF1211R,215
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура TAPE-7 MOS-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5430058.pdf
Детальное описание компонента BF1211R,215
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 800 MHz Усиление 24 dB
Напряжение пробоя сток-исток 6 V Непрерывный ток стока 30 mA
Напряжение пробоя затвор-исток 6 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-143-4 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Рассеяние мощности 180 mW Тип продукта RF MOSFET Power
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № BF1211R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DEMO9RS08KA2 DEMO9RS08KA2 Freescale Semiconductor Макетные платы и комплекты - S08 / S12 DEMO9RS08KA2 9235167.pdf
BLF6G10L-40BRN,112 BLF6G10L-40BRN,112 NXP Semiconductors РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR 5448316.pdf
SSP-01TWB3SW12 SSP-01TWB3SW12 Lumex LED Источники света, не содержащие нитей накаливания MINI WEDGE BASE YEL ---
SN74AHC273DGVRE4 SN74AHC273DGVRE4 Texas Instruments Триггеры Octal D-Type Flip-Flop w/Clear 6589040.pdf
CAT24WC01L-1.8 CAT24WC01L-1.8 --- Микросхемы памяти ---