BLF245B,112

BLF245B,112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BLF245B,112
Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура RF DMOS 30W VHF P-P
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5428601.pdf5428631.pdf
Детальное описание компонента BLF245B,112
Конфигурация Dual Полярность транзистора N-Channel
Частота 175 MHz Усиление 18 dB
Выходная мощность 30 W Напряжение пробоя сток-исток 65 V
Непрерывный ток стока 4.5 A Напряжение пробоя затвор-исток +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-279A
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Рассеяние мощности 75 W
Тип продукта RF MOSFET Power Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 1.5 Ohms
Размер фабричной упаковки 20 Другие названия товара № BLF245B

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX9259EVKIT+ MAX9259EVKIT+ Maxim Integrated Products Interface Development Tools MAX9259 Eval Kit 9637164.pdf
MAX9768BETG+T MAX9768BETG+T Maxim Integrated Products Усилители звука 10W Mono Class D Speaker 4000105.pdf
12784 12784 --- Антистатический контроль ---
5-208871-1 5-208871-1 --- Субминиатюрные соединители ---
DIN-048RPC-W-FJ DIN-048RPC-W-FJ --- Прямоугольные разъемы ---