J212_Q

J212_Q
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: J212_Q
Описание: РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом NCh RF Transistor
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 5427788.pdf
Детальное описание компонента J212_Q
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Напряжение пробоя затвор-исток - 25 V Максимальное напряжение сток-затвор 25 V
Непрерывный ток стока 40 mA Рассеяние мощности 350 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-92 Упаковка Bulk
Минимальная рабочая температура - 55 C

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
P0130AA 2AL3 P0130AA 2AL3 STMicroelectronics Комплектные тиристорные устройства (SCR) 0.8 Amp 100 Volt 144145.pdf
571-0122-809F 571-0122-809F --- Светодиодная индикация ---
CC1151IRHBRG4Q1 CC1151IRHBRG4Q1 --- RF Semiconductors ---
DG301AAA DG301AAA --- Коммутационные микросхемы ---
ELYI-K72C5-0LPGS-P6500 ELYI-K72C5-0LPGS-P6500 --- Светодиоды высокой мощности ---