PMBFJ112 T/R

PMBFJ112 T/R
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PMBFJ112 T/R
Описание: РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом TAPE7 FET-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента PMBFJ112 T/R
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Напряжение сток-исток (VDS) 40 V Напряжение пробоя затвор-исток - 40 V
Максимальное напряжение сток-затвор - 40 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-23
Упаковка Reel Размер фабричной упаковки 3000
Другие названия товара № PMBFJ112,215

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAV200-GS18 BAV200-GS18 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 60 Volt 625mA 3692971.pdf
MRF137 MRF137 M/A-COM Technology Solutions РЧ транзисторы, МОП-структура 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB 5434332.pdf
dsPIC33EP256MU810T-I/PT dsPIC33EP256MU810T-I/PT Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 100P 256KB Flsh 28KB RAM 60MHz USB ---
0903036 0903036 --- Автоматические выключатели ---
GP2L24J0000F GP2L24J0000F --- Фотопрерыватели ---