MMBFJ211

MMBFJ211
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MMBFJ211
Описание: РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом NCh RF Transistor
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 5422478.pdf
Детальное описание компонента MMBFJ211
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 0.006 S to 0.012 S Напряжение отсечки затвор-исток - 4.5 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 25 V Максимальное напряжение сток-затвор 25 V
Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) 7 mA to 60 mA Рассеяние мощности 225 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Диапазон рабочих температур - 55 C to + 150 C
Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
GP1UV70QS00F GP1UV70QS00F Sharp Microelectronics Инфракрасные приемники 5V 40 kHz Plastic package ---
TPS2835PWPRG4 TPS2835PWPRG4 --- Схемы управления питанием ---
UCD7100PWPRG4 UCD7100PWPRG4 --- Схемы управления питанием ---
PT100MF1MP1 PT100MF1MP1 --- Оптические детекторы и датчики ---
55000024-003 55000024-003 --- Цилиндрические разъемы ---