BF556B,215

BF556B,215
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF556B,215
Описание: РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом TAPE7 FET-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5420519.pdf
Детальное описание компонента BF556B,215
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Напряжение сток-исток (VDS) 30 V Напряжение отсечки затвор-исток - 0.5 V to - 7.5 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 30 V Максимальное напряжение сток-затвор - 30 V
Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) 6 mA to 13 mA Рассеяние мощности 250 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № BF556B T/R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS3153DK DS3153DK Maxim Integrated Products Средства разработки сетей DS3153 Dev Kit 820688.pdf
101-1268 101-1268 Rabbit Semiconductor Одноплатные компьютеры BL4S100 Tool Kit 9026192.pdf
E-L6221AS E-L6221AS STMicroelectronics Transistors Darlington 1.8 Amp Quad Switch 9440229.pdf
MMBFJ212 MMBFJ212 Fairchild Semiconductor РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом NCh RF Transistor 5419822.pdf
SFH 4248-Z SFH 4248-Z OSRAM Opto Semiconductors Инфракрасные излучатели HIGH PWR 940nm HALF ANGLE +/-15DEG ---