MMBFJ212

MMBFJ212
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MMBFJ212
Описание: РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом NCh RF Transistor
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 5419822.pdf
Детальное описание компонента MMBFJ212
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 0.007 S to 0.012 S Напряжение отсечки затвор-исток - 6 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 25 V Максимальное напряжение сток-затвор 25 V
Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) 0.9 mA to 4.5 mA Рассеяние мощности 225 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Минимальная рабочая температура - 55 C Диапазон рабочих температур - 55 C to + 150 C
Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TSOP75456WTR TSOP75456WTR Vishay Semiconductors Инфракрасные приемники IR SENSOR IC 56KHZ 6221309.pdf
6N136F 6N136F --- Оптопары и оптроны ---
ILQ2-X001 ILQ2-X001 --- Оптопары и оптроны ---
856071 856071 --- Формирование сигнала ---
M-4PC-B M-4PC-B --- Кожухи, коробки и корпуса ---