PMBFJ113,215

PMBFJ113,215
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PMBFJ113,215
Описание: РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом TAPE7 FET-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5418814.pdf
Детальное описание компонента PMBFJ113,215
Полярность транзистора N-Channel Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 100 Ohms
Напряжение сток-исток (VDS) 40 V Напряжение отсечки затвор-исток - 0.5 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 40 V Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) 2 mA
Рассеяние мощности 300 mW Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № PMBFJ113 T/R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AX104240-B25 AX104240-B25 Belden Wire & Cable Волоконно-оптические соединители 62.5um MULTIMODE LC OM1 BEIGE 6039313.pdf
SN74LVC1T45DCKRE4 SN74LVC1T45DCKRE4 Texas Instruments Трансляция - уровни напряжения SINGLE-BIT BUS TRANSCEIVER 5310446.pdf
SST39VF1602-70-4A-B3KE SST39VF1602-70-4A-B3KE --- Микросхемы памяти ---
MF1MOA2S50/D/3,118 MF1MOA2S50/D/3,118 --- RF Semiconductors ---
MAX4814EECB+ MAX4814EECB+ --- Коммутационные микросхемы ---