PMBFJ113,215

PMBFJ113,215
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PMBFJ113,215
Описание: РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом TAPE7 FET-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5418814.pdf
Детальное описание компонента PMBFJ113,215
Полярность транзистора N-Channel Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 100 Ohms
Напряжение сток-исток (VDS) 40 V Напряжение отсечки затвор-исток - 0.5 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 40 V Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) 2 mA
Рассеяние мощности 300 mW Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № PMBFJ113 T/R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BDX33D BDX33D Bourns Transistors Darlington 70W 10A NPN 9477144.pdf
MAX913EUA+ MAX913EUA+ Maxim Integrated Products ИС, компараторы Single Precision TTL Comparator 9431303.pdf
MAX6439UTKTRD3-T MAX6439UTKTRD3-T --- Схемы управления питанием ---
LM5104SDX LM5104SDX --- Схемы управления питанием ---
7511B17 7511B17 --- Светодиодная индикация ---