BF513,215

BF513,215
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BF513,215
Описание: РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом TAPE7 FET-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5418736.pdf
Детальное описание компонента BF513,215
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Напряжение сток-исток (VDS) 20 V Напряжение отсечки затвор-исток 3 V
Напряжение пробоя затвор-исток 20 V Максимальное напряжение сток-затвор 20 V
Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) 10 mA to 18 mA Рассеяние мощности 250 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № BF513 T/R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IKB03N120H2 IKB03N120H2 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A ---
LM4875M LM4875M National Semiconductor (TI) Усилители звука 4627128.pdf
MAX3302EETI+ MAX3302EETI+ Maxim Integrated Products ИС, интерфейс USB USB On-the-Go Tcvr & Charge Pump 6265769.pdf
KXPC8260VVIHBC KXPC8260VVIHBC --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---
D2425-B D2425-B --- Оптопары и оптроны ---