PMBFJ309,215

PMBFJ309,215
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: PMBFJ309,215
Описание: РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом TAPE7 FET-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5416843.pdf
Детальное описание компонента PMBFJ309,215
Конфигурация Single Полярность транзистора N-Channel
Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. 50 Ohms Напряжение сток-исток (VDS) 25 V
Напряжение отсечки затвор-исток - 4 V Напряжение пробоя затвор-исток - 25 V
Максимальное напряжение сток-затвор - 25 V Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) 12 mA to 30 mA
Рассеяние мощности 250 mW Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-23
Упаковка Reel Размер фабричной упаковки 3000
Другие названия товара № PMBFJ309 T/R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
T1960N18TOF VT T1960N18TOF VT Infineon Technologies Комплектные тиристорные устройства (SCR) PCT 1800V 1960A ---
MAX2741ETI+ MAX2741ETI+ --- RF Semiconductors ---
PI5A392AWEX PI5A392AWEX --- Коммутационные микросхемы ---
LC-4.0 LC-4.0 --- Светодиодная индикация ---
L17RRD2F0210G L17RRD2F0210G --- Субминиатюрные соединители ---